本站音尘，字据天眼查APP数据线路甬矽电子（688362）新获取一项发明专利授权，专利名为“芯片散热封装结构和芯片散热封装结构的制备次序”，专利请求号为CN202411488938.2，授权日为2025年3月7日。

专利摘记：本发明提供了一种芯片散热封装结构和芯片散热封装结构的制备次序，触及芯片封装时代鸿沟，芯片散热封装结构包括基板、封装芯片、导热材料层和第一散热盖，封装芯片贴装在基板上；导热材料层缔造在封装芯片隔离基板的一侧；第一散热盖缔造在基板上，并罩设在封装芯片外，且第一散热盖至少部分位于导热材料层隔离基板的一侧；其中，第一散热盖围聚基板的一侧缔造有多个第一散热凸块，多个第一散热凸块均蚁合至封装芯片背离基板的一侧名义，导热材料层与第一散热盖蚁合。相较于现存时代，本发明通过增设第一散热凸块，并同一导热材料层的蓄意，概况大幅擢升散热面积，无需扩大第一散热盖的蓄意尺寸，幸免热应力形成基板或芯片发生翘曲的问题。

本年以来甬矽电子新获取专利授权14个，较昨年同时加多了75%。同一公司2024年中报财务数据，2024上半年公司在研发方面过问了9398.43万元，同比增52.57%。

数据来源：天眼查APP

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